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PTFE玻纤布覆铜箔板F4BM、F4BME
PTFE玻纤布覆铜箔板F4BM、F4BME
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PTFE玻纤布覆铜箔板F4BM、F4BME

本产品采用玻纤布、聚四氟乙烯树脂和聚四氟乙烯薄膜经科学配制和严格工艺压制而成。其电气性能比F4B有一定提高,主要是介电常数范围更宽、介质损耗低、绝缘电阻值增大、性能更稳定,能替代国外同类型产品。

F4BM和F4BME介质层相同,但搭配使用的铜箔不同:F4BM搭配ED铜箔,适用于无PIM指标的应用;F4BME搭配反转RTF铜箔,具有优良的PIM指标、更精准的线路控制、更低的导体损耗。

F4BM与F4BME通过调节聚四氟乙烯与玻纤布之间的比例精准调节介电常数,既实现低损耗,又增强了材料尺寸稳定;介电常数越高,其玻纤比例也越高,因此尺寸稳定性更好、热膨胀系数更低、温飘更好、介质损耗相比增加。

产品特点:

◆ DK2.17~3.0可选,DK可定制  

◆ 低损耗

◆ F4BME搭配RTF铜箔,具有优良的PIM指标  

◆ 尺寸多样化,节约成本

◆ 抗辐照、低排气  

◆ 商业化、大批量、高性价比

典型案例:

◆ 微波、射频、雷达

◆ 移相器,无源器件

◆ 功分器、耦合器、合路器

◆ 馈电网络、相控阵天线

◆ 卫星通信、基站天线

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